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三星、ASML合建研发中心预计2027年引进High-NA EUV设备
《科创板日报》5日讯,三星电子与ASML共同在韩国投资的半导体先进制程研发中心预计自2027年起引进High-NA 极紫外光(EUV)设备。该研发中心是为High-NA EUV而兴建,总投资金额1兆韩元,最快于2027年引进设备,因需经过许可流程,最快将于2024年12月或2025年动工。三星表示,目前High-NA EUV仍处于审查推出时机的阶段,将根据市场状况及客户需求决定方向。 (BusinessKorea)
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