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韩国SKMP开发出高厚度KrF光刻胶 可助力3D NAND闪存制造
《科创板日报》28日讯,韩国SK集团子公司SK Materials Performance(SKMP)已开发出一种高厚度KrF光刻胶,并通过了SK海力士的性能验证,这将有利于SK海力士3D NAND闪存的技术开发。据悉,SKMP开发的新型KrF光刻胶厚度为14~15微米,与东进半导体向三星供应的产品类似,而日本JSR公司的类似产品厚度仅为10微米。 (台湾电子时报)
半导体芯片
光刻胶
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