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安世半导体推出新款600 V单管IGBT
《科创板日报》5日讯,安世半导体今日宣布,推出新款600 V单管IGBT。据介绍,新款600 V单管IGBT采用载流子储存沟槽栅场截止(FS)结构,在最高175℃的工作温度下可提供超低导通和开关损耗性能与高耐用性。
半导体芯片
IGBT
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