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第三代半导体商业化进程加速 东芝新一代SiC MOSFET即将量产 瞄准数据中心和车载需求
该新产品使用全新的器件结构,具有低导通电阻,且开关损耗与第二代产品相比降低了约20%。

《科创板日报》8月5日(编辑 宋子乔)在第三代半导体的商业化道路上,日本厂商又添了一把力。

东芝近日官网宣布,第三代SiC MOSFET(碳化硅场效应管)计划在今年8月下旬开始量产。据了解,该新产品使用全新的器件结构,具有低导通电阻,且开关损耗与第二代产品相比降低了约20%。

东芝的第二代SiC MOSFET量产于2020年8月。今年一季度,东芝宣布在内部生产用于功率半导体的SiC外延片,并且投资55亿用于功率器件扩产,包括建设8英寸的碳化硅和氮化镓生产线。

东芝表示,未来这种“外延设备+外延片+器件”的IDM模式,有利于他们抢占铁路、海上风力发电、数据中心以及车载等市场。

▍SiC商业化进程加速 本土厂商靠新能源车、光伏赢得入场机会

SiC在高压、高功率应用场景下性能优越,适用于600V以上高压场景,因此电动车及光伏等热门场景对SiC的需求相当旺盛。Wolfspeed、英飞凌以及意法半导体等多家国外企业已经陆续宣布扩产。

从竞争格局上看,目前海外龙头(Wolfspeed、II-VI占据60%以上市场份额)已实现6英寸规模化供应、向8英寸进军。国产厂家(天岳先进、天科合达、晶盛机电、露笑科技等)以小尺寸为主、向6英寸进军。

性价比是决定SiC器件大批量使用的关键,衬底制备为SiC性价比提升的核心,也是技术壁垒最高环节。

国内碳化硅衬底龙头天岳先进在近期宣布签订14亿元大单。就此,中金证券近日发布研报称,这从一定程度上体现出SiC器件渗透率呈现快速提升,产业链各环节市场规模有望迎来快速成长期,另一方面也反映出国内材料企业在N型SiC导电型衬底方面的技术实力及产能规模都在不断增强。SiC行业的落地在今年内已开始呈明显加速趋势。

中金公司则称,在新能源车、光伏发电等重点行业终端出货量快速成长,叠加SiC渗透率提升且短期内器件价格降幅有限的背景下,2022-2024年SiC器件市场规模有望迎来增速最快的三年周期。

该机构分析师进一步表示,中国相关供应商虽起步较晚,但得益于新能源车、光伏逆变器本土品牌商市场份额提升,国内企业获得了入场机会,国内SiC器件供应商有望把握本土化机会,复制硅基IGBT时代辉煌,拥有全产业一体化(材料、制造、封测)能力的企业存在着更大的竞争优势,建议关注三安光电、斯达半导、华润微等上市公司以及部分技术领先的未上市企业。

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