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东芝第三代SiC MOS将在8月下旬量产
《科创板日报》4日讯,据东芝近日官网宣布,第三代SiC MOSFET(碳化硅场效应管)计划在今年8月下旬开始量产。据了解,该新产品使用全新的器件结构,具有低导通电阻,且开关损耗与第二代产品相比降低了约20%。
第三代半导体
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