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国产碳化硅衬底又一突破:天岳先进签14亿元大单 为去年营收2.8倍
公司此前透露,其提供的导电型衬底基本都是满足MOSFET参数标准的,MOSFET器件在工业领域和新能源汽车领域都有非常广泛的应用场景。

《科创板日报》7月22日讯(编辑 宋子乔)国产碳化硅(SiC)衬底有了新突破。

天岳先进昨晚公告,近日与某客户签订了一份长期协议,约定2023年至2025年公司及上海天岳向合同对方销售6英寸导电型碳化硅衬底产品,预计含税销售三年合计金额为人民币13.93亿元

这一金额是该公司去年总营收的2.8倍,2021年天岳先进营收为4.94亿元

天岳先进历年营收

从细分产品来看,天岳先进是全球半绝缘型碳化硅衬底龙头(2020年半绝缘型碳化硅衬底全球市占率30%),其产品主要为4英寸半绝缘型碳化硅衬底,主要应用于5G通讯、国防等领域。

相比半绝缘型衬底,导电型碳化硅衬底在新能源汽车、光伏等领域未来需求空间更大,国产化率也更低,因此公司IPO募资20亿元建设6英寸导电型碳化硅衬底项目,发力导电型碳化硅衬底。该项目将于2022年试生产,预计2026年实现全面达产。

6月份,天岳先进共获67家机构调研,该公司透露,其提供的导电型衬底基本都是满足MOSFET参数标准的。MOSFET器件在工业领域和新能源汽车领域都有非常广泛的应用场景,公司目前已经获得IATF16949车规体系认证,下游客户的送样反馈结果也非常积极。

放眼碳化硅衬底的全球竞争格局,目前海外厂商掌握话语权,国内企业市场份额较小。半绝缘市场中,贰陆公司(II-IV)、科锐(Wolfspeed)以及天岳先进三家占据主要份额;导电型市场中,科锐为绝对龙头。

随着碳化硅需求趋势明确,国内产业链正加速布局,天岳先进是该趋势的缩影。浙商证券此前表示,可观测到,国内外差距正在缩小、且整体差距小于传统硅基半导体。国内外差距已从过去的10-15年(4英寸)、缩小至5-10年以内(6英寸)。预计未来向8英寸进军过程中,差距有望进一步缩小。

财联社声明:文章内容仅供参考,不构成投资建议。投资者据此操作,风险自担。
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