200层以上3D NAND闪存的竞争将加速QLC SSD应用

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15:20 200层以上3D NAND闪存的竞争将加速QLC SSD应用

《科创板日报》20日讯，业内人士透露，芯片制造商加入200层以上3D NAND闪存芯片的竞争将加速QLC SSD的应用，尤其是在2023年的消费领域。在消费类SSD中，QLC NAND闪存的采用率预计明年将达到20%。 (台湾电子时报)

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