《科创板日报》29日讯,在近日的摩根大通投资者会议活动上,美光表示,2025年HBM内存供应谈判基本完成。美光高管代表宣称,其已与下游客户基本敲定了明年HBM订单的规模和价格,预计HBM内存将在其截至2024年9月的本财年中创造数亿美元的营收,而在2025财年相关业务的销售额将增加到数十亿美元。
财联社5月28日电, 日前国家集成电路产业投资基金三期股份有限公司注册成立,注册资本3440亿元,规模超过前两期。记者采访半导体业内人士了解到,国家大基金三期有望延续对半导体产业链“卡脖子”环节投资,包括大型制造以及设备、材料等环节,另外HBM产业等人工智能半导体关键领域也有望获得国家大基金三期的投资。
《科创板日报》27日讯,业内人士透露,SK海力士计划为HBM添加大量新功能,例如计算、缓存、网络内存等。为此,该公司已开始获取半导体设计资产(IP)。
《科创板日报》27日讯,韩美半导体日前宣布,将收购仁川西区朱安国家工业园区土地和建筑物,以扩建HBM生产所需的TC粘合机生产线。公司TC粘合机客户包括SK海力士及美光。2024年韩美半导体的TC粘合机产能将达到264台(每月22台);此次购买的土地上将建设第七工厂,计划于2025年初开始全面运营,产能将增至每年420台(每月35台)。
财联社5月24日电,中信证券研报认为,英伟达一季度业绩、指引均超市场预期,良好业绩表现反映全球对AI算力的持续强劲需求,料将对美股硬件&半导体相关企业中短期业绩继续形成有力支撑,但伴随AI算力下游客户结构不断扩散(从云厂商到企业、主权国家客户等),以及英伟达自身产品策略的不断优化等,从AI芯片到硬件&整机、网络设备等环节的产品形态、市场竞争结构、产业投资逻辑亦在快速变化,围绕英伟达技术路线和产业链,持续看好晶圆代工(先进制程)、存储芯片(HBM)、IT设备(AI服务器、高密度闪存)、数通设备(以太网)等环节的中期投资机会。
财联社5月24日电,知情人士称,由于发热和功耗问题,三星电子最新的高带宽内存(HBM)芯片尚未通过英伟达的测试,无法用于后者的人工智能处理器。据悉,这些问题涉及三星电子的HBM和HBM3E产品。三星电子在一份声明中表示,HBM是一种定制的内存产品,需要根据客户的需求进行优化,“我们正通过与客户的密切合作优化产品”。该公司拒绝就具体客户发表评论。
财联社5月20日电,据集邦咨询研究,三大原厂开始提高先进制程的投片,继存储器合约价翻扬后,公司资金投入开始增加,产能提升将集中在今年下半年,预期1alpha nm(含)以上投片至年底将占DRAM总投片比重约40%。其中,HBM由于获利表现佳,加上需求持续看增,故生产顺序最优先。但受限于良率仅约50~60%,且晶圆面积相较DRAM产品,放大逾60%,意即所占投片比重高。以各家TSV产能来看,至年底HBM将占先进制程比重35%,其余则用以生产LPDDR5(X)与DDR5产品。
《科创板日报》20日讯,TrendForce最新研究指出,三大原厂(三星、美光、SK海力士)开始提高先进制程投片,公司资金投入也开始增加,产能提升将集中在今年下半年,预期年底1alpha纳米以上投片将占约40%的DRAM总投片。其中,HBM生产顺序最优先,年底HBM将占先进制程比重35%,其余则用以生产LPDDR5(x)与DDR5产品。另外,由于英伟达GB200将于2025年放量,其规格为HBM3e 192/384GB,预期HBM产出将接近翻倍,且紧接各原厂将迎来HBM4研发,若投资没有明显扩大,在产能排挤效应之下,DRAM产品可能供应不足。
《科创板日报》20日讯,因PC、智能手机需求复苏仍需时间,4月DRAM价格涨势停歇, 2024年4月指标性产品DDR4 4Gb及8Gb批发价(大宗交易价格)连续第二个月环比持平。但业内期待随着HBM需求与产量提升,带动DRAM价格上涨,“HBM产量增加的话,其他DRAM产量就会减少,进而推升价格。”电子产品商社指出,部分大厂已接受存储芯片厂商的涨价要求。某家PC厂商表示,4-6月的DRAM批发价将较1-3月扬升5-10%。
《科创板日报》16日讯,SK海力士与台积电已敲定下一代HBM的合作量产计划。台积电将负责基础芯片前端工艺(FEOL)、后续布线工艺(BEOL)等,晶圆测试和HBM堆叠将由SK海力士进行。这意味着传统的前端制程将由台积电负责,后续制程将由SK海力士处理。业界预测,SK海力士将通过台积电7nm制程制造HBM4基片。
财联社5月15日电,芯片半导体板块异动拉升,HBM方向领涨,蓝箭电子、通富微电冲击涨停,文一科技、华海诚科、晶方科技、亚威股份等涨幅靠前。近日,两家全球最大的存储芯片供应商——SK海力士和美光都已经表示,2024年的高带宽存储芯片(HBM)已经售罄,而2025年的库存也几乎售罄。不少分析师警告称,在人工智能的爆炸性需求影响下,高带宽存储芯片(HBM)的供应短缺情况可能将持续今年一整年。
财联社5月14日电,分析师警告称,高带宽内存(HBM)等高性能存储芯片今年可能仍将面临供应紧张局面,因为人工智能热潮推动了对这类存储芯片需求的爆炸性增长。
《科创板日报》14日讯,SK海力士技术人员Kim Kwi Wook表示,这家企业计划使用1c nm制程的32Gb DRAM裸片构建HBM4E内存。Kim Kwi Wook预计,HBM4E内存可较HBM4在带宽上提升40%、密度提升30%,同时能效也提高30%。在谈到对键合技术路线的看法时,这位研究人员称混合键合仍面临良率不佳的问题,SK海力士在下代HBM4产品中采用混合键合的可能性不大。
《科创板日报》14日讯,三星和SK海力士预测,由于AI相关芯片需求不断增长,今年DRAM和HBM价格将保持坚挺;为了满足需求,他们将超过20%的DRAM产线转换为HBM产线。SK海力士HBM芯片今年已售罄,2025年也几乎售罄;三星HBM产品也已售罄。
《科创板日报》14日讯,SK海力士HBM负责人Kim Gwi-wook表示,当前业界HBM技术已经到了新的水平,行业需求促使SK海力士将加速开发过程,最早在2026年推出HBM4E内存,相关内存带宽将是HBM4的1.4倍。
《科创板日报》13日讯,三星电子为供应英伟达HBM3E产品,正致力投入产品验证,不过传因台积电采用标准问题,导致8层HBM3E仍待进一步的检验。
财联社5月8日电,天风国际分析师郭明錤预计,英伟达下一代AI芯片R系列/R100将在2025年4季度量产,系统/机柜方案预计将在2026年上半年量产。R100将采台积电的N3制程与CoWoS-L封装(与B100相同)。R100预计将搭配8颗HBM4。英伟达已理解到AI伺服器的耗能已成为CSP/Hyperscale采购与资料中心建置挑战,故R系列的晶片与系统方案,除提升AI算力外,耗能改善亦为设计重点。
《科创板日报》7日讯,消息称三星电子组建了一支新的HBM工程师团队,以确保从英伟达拿下数十亿美元的合约。三星的新工作小组由大约100名优秀工程师组成,他们一直致力于提高制造产量和质量,首要目标是通过英伟达的测试。